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에프알디는 반도체, Solar, 디스플레이, LED용 특수가스 제조에 특화된 기업 입니다.
| No | 품명 | 순도 | 용도 | 특징 |
| 1 | Tetraethylorthosilicate (TEOS) | 99.999% | SiO2 증착(CVD) | 열적 안정성, 균일한 산화막 형성 |
| 2 | Tris(dimethylamino)silane (TDMAS) | 99.999% | SiN 증착(ALD) | 낮은 온도 증착 가능, 플라즈마 ALD에 적합 |
| 3 | Trimethylaluminum (TMA) | 99.9999% | Al2O3 증착(ALD) | 높은 반응성, 표면 반응 우수 |
| 4 | Titanium tetrachloride (TiCl4) | 99.999% | TiN 증착(CVD) | 높은 증착률, 저온 공정 호환 |
| 5 | Hafnium tetrachloride (HfCl4) | 99.999% | HfO2 증착(ALD) | 고유전막(HKMG) 소재, 높은 유전상수 |
| 6 | Diethylzinc (DEZ) | 99.999% | ZnO 증착(ALD) | p-type 가능, 투명전도막 재료 |
| 7 | Trimethylphosphite (TMP) | 99.999% | 도핑 | 액상 P 소스, 핀펫/3D 낸드용 |
| 8 | Cobalt carbonyl (Co2(CO)8) | 99.99% | Co 금속 배선 | 증기압 높고, 균일한 증착 가능 |
| 9 | Hafnium tetrachloride (HfCl4) | 99.999% | HfO2 증착(ALD) | High-K 게이트 유전체, 유전상수 ≈ 25 |
| 10 | Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH) | 99.999% | HfO2 증착(ALD) | 높은 증착 균일성, 3D NAND 적합 |
| 11 | Zirconium tert-butoxide (ZTB) | 99.999% | ZrO2 증착(ALD) | High-K 재료, 열 안정성 우수 |
| 12 | Lanthanum tris(N,N′-diisopropylformamidinate) (La-FAMD) | 99.999% | La2O3 증착(ALD) | High-K + 낮은 누설 전류 |
| 13 | Aluminum sec-butoxide (ASB) | 99.999% | Al2O3 증착(ALD) | High-K, 게이트 절연막용 |
